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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

华东某LED外延性片产量各个企业,因产量过程中 中选用砷化镓、电镀锌铟等III-V族单质,废泥中含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等血本属,设计操作总量1200吨/日。 焦化废水组成成分及来源地 MOCVD设施洗废液 :含三级甲等基镉、三级甲等基铟等可挥发五金化学物质 激光切碾磨废气 :含纳米级级金属质粉末 化学镀污废水 :含铜、镍等废金属铝离子 工作加工环节 科技创新选用"防氧化破络+高价属收集+膜破乳"组和制作工艺: 预加工第一单元 :加药氢氧化钙吸附无机复合络合物 管理的本质治理 机组 : 用到DTCR天价属收集剂导致不溶解性螯合物 反渗透装置平台(UF)挤占大团伙空气污染源 反加入(RO)脱盐率>98% 活性污泥补救象限 :离心力脱水治疗后交予危险废物治疗中心点加工 结果英文功效 经第三步方探测: 总砷纯度:0.05mg/L(国家标准下载0.5mg/L) 镉水分含量:0.01mg/L(国际标准0.1mg/L) 水回收利用率:75% 正常运行投入:3.8元/吨水

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